La memoria AT45DB081B trabaja de 2.5v a 2.7v; es una memoria flash con interfase serial, ideal para una gran variedad de aplicaciones de digitalizacion de voz, imagen, codigo de programa y aplicacion de datos. Cada 8,650,752 bits de memoria son organizados en 4096 paginas de 264 bytes cada una. En adicion a la memoria principal, este dispositivo tambien contiene dos buffer de datos SRAM de 264 bytes cada uno. Los buffers permiten recibir datos mientras una pagina en la memoria principal esta empezando a programarse, tambien como escribiendo datos de manera continua.

• Single 2.5V - 3.6V or 2.7V - 3.6V Supply.
• Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible.
• 20 MHz Max Clock Frequency.
• Page Program Operation.

  • Single Cycle Reprogram (Erase and Program).
  • 4096 Pages (264 Bytes/Page) Main Memory.
• Supports Page and Block Erase Operations.
• Two 264-byte SRAM Data Buffers – Allows Receiving of Data
  while Reprogramming of Nonvolatile Memory.
• Continuous Read Capability through Entire Array.

  • Ideal for Code Shadowing Applications.
• Low Power Dissipation.

  • 4 mA Active Read Current Typical.
  • 2 µA CMOS Standby Current Typical.
• Hardware Data Protection Feature.
• 100% Compatible to AT45DB081 and AT45DB081A.
• 5.0V-tolerant Inputs: SI, SCK, CS, RESET and WP Pins.
• Commercial and Industrial Temperature Ranges.